001255秒停連板五漲停,消費(fèi)電子漲價(jià)潮來(lái)襲
今日早盤(pán),A股市場(chǎng)整體呈現(xiàn)高開(kāi)低走態(tài)勢(shì),上證指數(shù)、深證成指、上證50、創(chuàng)業(yè)板指等主要指數(shù)均由紅轉(zhuǎn)綠,北證50、科創(chuàng)50等指數(shù)的漲幅也較開(kāi)盤(pán)初期有所收窄。市場(chǎng)中下跌個(gè)股數(shù)量遠(yuǎn)多于上漲個(gè)股,成交規(guī)模保持平穩(wěn)狀態(tài)。
從盤(pán)面上看,電網(wǎng)設(shè)備、消費(fèi)電子、電機(jī)制造、芯片等板塊漲幅位居前列,而產(chǎn)業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、人工智能、航天裝備、影視院線等板塊則處于跌幅榜前列。

全球電網(wǎng)建設(shè)步入高峰期
早盤(pán)時(shí)段,電力設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈整體表現(xiàn)強(qiáng)勢(shì),其中電網(wǎng)設(shè)備方向領(lǐng)漲,板塊指數(shù)開(kāi)盤(pán)初期一度飆升超過(guò)6%,創(chuàng)下歷史新高。博菲電氣(001255)開(kāi)盤(pán)后迅速直線漲停,實(shí)現(xiàn)連續(xù)第五個(gè)交易日封板;漢纜股份開(kāi)盤(pán)僅約6分鐘便直線漲停;新風(fēng)光、億能電力等逾10只個(gè)股漲?;驖q超10%。

特高壓、高壓快充、智能電網(wǎng)、虛擬電廠等相關(guān)板塊也紛紛強(qiáng)勢(shì)上漲,電科院直線20%漲停,思源電氣、艾迪精密、積成電子等多只個(gè)股批量漲停。

昨日,國(guó)家電網(wǎng)發(fā)布消息稱,“十五五”時(shí)期,國(guó)家電網(wǎng)固定資產(chǎn)投資將達(dá)到4萬(wàn)億元,創(chuàng)歷史新高,投資總額較“十四五”時(shí)期增長(zhǎng)40%,資金將重點(diǎn)投向科技創(chuàng)新、新型電力系統(tǒng)建設(shè)等領(lǐng)域。
“十五五”時(shí)期,國(guó)家電網(wǎng)將初步建成主干電網(wǎng)、配電網(wǎng)和智能微電網(wǎng)協(xié)同的新型電網(wǎng)平臺(tái),跨省區(qū)輸電能力較“十四五”末提升超30%,支撐國(guó)家“沙戈荒”和西南大型水電清潔能源基地的開(kāi)發(fā)外送。
此外,AI數(shù)據(jù)中心用電需求激增,全球進(jìn)入大規(guī)模電網(wǎng)建設(shè)周期。高盛預(yù)計(jì),未來(lái)10年,AI推動(dòng)的全球數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施和能源體系投資規(guī)模將高達(dá)5萬(wàn)億美元,電網(wǎng)設(shè)備將是這波投資浪潮中最直接的受益者。
國(guó)金證券認(rèn)為,國(guó)網(wǎng)輸變電領(lǐng)域預(yù)計(jì)維持高景氣度,2025年國(guó)網(wǎng)輸變電設(shè)備6批次招標(biāo)為2026年的設(shè)備交付和業(yè)績(jī)兌現(xiàn)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ),龍頭企業(yè)訂單充足,業(yè)績(jī)確定性強(qiáng)。變壓器環(huán)節(jié)中,美國(guó)電網(wǎng)老化疊加AIDC加劇電力短缺,電力變壓器交付周期維持在100周以上的高位,海外供給缺口短期難以填補(bǔ),國(guó)內(nèi)企業(yè)有望持續(xù)實(shí)現(xiàn)量?jī)r(jià)齊升。
消費(fèi)電子掀起漲價(jià)潮
消費(fèi)電子概念早盤(pán)高開(kāi)高走,板塊指數(shù)一度大漲逾3%??粕萍奸_(kāi)盤(pán)僅約6分鐘便直線漲停,股價(jià)創(chuàng)8年新高(復(fù)權(quán),下同);可川科技在臨近午間時(shí)漲停,創(chuàng)歷史新高;環(huán)旭電子、致尚科技、和林微納等多只個(gè)股股價(jià)也刷新歷史紀(jì)錄。


近期,電子行業(yè)多個(gè)細(xì)分板塊的相關(guān)公司發(fā)布漲價(jià)通知,涉及存儲(chǔ)、CCL、BT載板、晶圓代工、封測(cè)等領(lǐng)域。
本輪漲價(jià)的根本原因在于AI驅(qū)動(dòng)下存儲(chǔ)芯片(內(nèi)存、硬盤(pán))及顯卡供應(yīng)短缺。三星、SK海力士等存儲(chǔ)巨頭將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的HBM(高帶寬內(nèi)存),導(dǎo)致消費(fèi)級(jí)DRAM與NAND閃存供應(yīng)緊張。
TrendForce集邦咨詢發(fā)布的最新調(diào)研報(bào)告顯示,2026年第一季度,由于DRAM原廠大規(guī)模轉(zhuǎn)移先進(jìn)制程以滿足AI服務(wù)器需求,其他市場(chǎng)供給嚴(yán)重緊縮,預(yù)估整體一般型DRAM(Conventional DRAM)合約價(jià)將季增55%—60%;NAND Flash則因原廠控管產(chǎn)能,預(yù)計(jì)各類(lèi)產(chǎn)品合約價(jià)持續(xù)上漲33%—38%。
花旗集團(tuán)指出,AI數(shù)據(jù)中心推理需求遠(yuǎn)超預(yù)期,也耗盡了PC和智能手機(jī)的芯片庫(kù)存。2027年之前供應(yīng)將持續(xù)緊張,預(yù)計(jì)不會(huì)有額外產(chǎn)能釋放,2026年芯片囤積情況將更為嚴(yán)重。
存儲(chǔ)芯片在終端物料成本(BoM)中的占比顯著提高,在智能手機(jī)中,內(nèi)存成本占比已從10%—15%上升至20%以上;在筆記本電腦中,內(nèi)存與硬盤(pán)成本占比也從15%—18%升至25%左右。
湘財(cái)證券指出,消費(fèi)電子延續(xù)復(fù)蘇態(tài)勢(shì),人工智能的進(jìn)步推動(dòng)AI基建需求維持高景氣,消費(fèi)電子市場(chǎng)或迎來(lái)景氣度回升。2026年,消費(fèi)電子指數(shù)的營(yíng)業(yè)收入和歸母凈利潤(rùn)同比增幅預(yù)計(jì)將分別達(dá)到32.71%和44.82%。
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