軟銀英特爾聯(lián)手布局存儲(chǔ)賽道，AI硬件能效變革將至
當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月2日，雙方正式簽署合作協(xié)議，攜手推進(jìn)ZAM（Z-Angle Memory）技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。ZAM作為下一代內(nèi)存技術(shù)，具備高容量、高帶寬與低功耗的核心優(yōu)勢(shì)。
根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，Saimemory將依托英特爾的下一代DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）組裝技術(shù)，計(jì)劃在2028年初前完成原型產(chǎn)品開發(fā)。具體而言，Saimemory的目標(biāo)是在2027財(cái)年打造出原型產(chǎn)品，并于2029財(cái)年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化落地。
軟銀在聲明中表示，該技術(shù)的研發(fā)主要面向人工智能數(shù)據(jù)中心。由于運(yùn)行生成式AI模型需要強(qiáng)大的計(jì)算能力，高速內(nèi)存已成為AI數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵組成部分。
軟銀指出：“ZAM這項(xiàng)下一代存儲(chǔ)技術(shù)，將為數(shù)據(jù)中心及其他需要大規(guī)模AI模型訓(xùn)練與推理處理的場(chǎng)景，提供高容量、高帶寬的數(shù)據(jù)處理能力，同時(shí)提升處理性能并降低功耗。”
當(dāng)前，AI大模型訓(xùn)練的算力需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，數(shù)據(jù)中心能耗問題已成為行業(yè)亟待解決的痛點(diǎn)。傳統(tǒng)HBM等高帶寬內(nèi)存雖能提高數(shù)據(jù)傳輸效率，但功耗問題始終難以突破。例如，谷歌AI數(shù)據(jù)中心的數(shù)據(jù)顯示，HBM內(nèi)存單元的功耗占比高達(dá)35%，散熱成本也在逐年上升。
軟銀與英特爾此次聯(lián)合研發(fā)的新型AI內(nèi)存芯片，正是針對(duì)這一行業(yè)瓶頸。此次合作也預(yù)示著，AI硬件領(lǐng)域即將迎來一場(chǎng)圍繞能效的重大變革。
據(jù)悉，Saimemory是軟銀于2024年12月成立的子公司，專注于下一代存儲(chǔ)技術(shù)的研發(fā)與應(yīng)用。在2024年有意與英特爾合作后，該公司于2025年年中完成更名。其最初的目標(biāo)是打造性能可與主流HBM媲美，但功耗降低一半以上的創(chuàng)新產(chǎn)品。
據(jù)此前報(bào)道，軟銀作為此次合作的關(guān)鍵投資者，已決定初期投入30億日元，成為最大出資方。整個(gè)項(xiàng)目的預(yù)計(jì)總成本高達(dá)100億日元（約合7000萬美元）。值得注意的是，一旦Saimemory的產(chǎn)品成功上市，軟銀將擁有優(yōu)先供貨權(quán)。
對(duì)于英特爾而言，此次合作也具有重要意義。當(dāng)前，英特爾正致力于強(qiáng)化芯片產(chǎn)品線，并試圖在AI領(lǐng)域產(chǎn)品供應(yīng)方面追趕競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
同時(shí)，這也標(biāo)志著英特爾在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的重大回歸。2022年，英特爾決定退出Optane存儲(chǔ)業(yè)務(wù)，并將NAND閃存業(yè)務(wù)出售給SK海力士，不過當(dāng)時(shí)仍保留了Optane相關(guān)的3D XPoint技術(shù)及專利。
分析人士表示，盡管Saimemory專注于DRAM技術(shù)，與Optane的非易失性存儲(chǔ)技術(shù)路徑不同，但英特爾在先進(jìn)封裝和芯片堆疊等領(lǐng)域的技術(shù)積累，將為Saimemory的研發(fā)提供有力支撐。
本文來自微信公眾號(hào)“科創(chuàng)日?qǐng)?bào)”，作者：黃君芝，36氪經(jīng)授權(quán)發(fā)布。
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