AI浪潮下存儲芯片的國產(chǎn)突圍:周期與替代的交匯點
本篇涉及到的主要名詞解釋:
DDR:雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器,主要應用在個人計算機、服務器上;LPDDR為Low Power DDR,主要應用于移動端電子產(chǎn)品;DDR/LPDDR為DRAM目前應用最廣的類型,兩者合計占DRAM應用比例約為90%。從DDR1到DDR5演變看,DDR的能耗越來越低,傳輸速度越來越快、存儲容量也越來越大。
HBM:高帶寬存儲器High Bandwidth Memory,簡稱HBM,是超微半導體和SKHynix發(fā)起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應用場合,像是圖形處理器、網(wǎng)絡交換及轉(zhuǎn)發(fā)設備,如路由器、交換器等。
撥開當前的行業(yè)喧囂,存儲產(chǎn)業(yè)正處于一個罕見的“三重共振”節(jié)點:
首先是技術(shù)層面,從2D到3D NAND,從DDR4到DDR5/LPDDR5,再到HBM,技術(shù)代際切換路徑清晰。
其次是需求層面,AI引發(fā)的“超級周期”帶來結(jié)構(gòu)性需求暴漲,且可能持續(xù)數(shù)年。
最后是供給層面,國際巨頭為追逐AI高端市場利潤,主動讓出中端產(chǎn)能,形成歷史性供給缺口。
基于這三點,中國本土存儲廠商將迎來前所未有的戰(zhàn)略機遇期,具體分析如下:
超級周期的內(nèi)核:AI驅(qū)動的產(chǎn)業(yè)鏈重構(gòu)
了解存儲行業(yè)的歷史背景與現(xiàn)狀后,我們能更清晰地洞察當前“超級周期”的本質(zhì)——它并非傳統(tǒng)的供需錯配,而是由AI算力革命驅(qū)動的全球存儲產(chǎn)業(yè)鏈格局深度重塑與利益再分配。
1、需求側(cè)的轉(zhuǎn)變:從消費電子到AI基礎設施
驅(qū)動力的根本性變化是此輪周期的核心特征,主要體現(xiàn)在兩個方面:
一是存儲產(chǎn)品價格進入上行周期。NAND價格向來波動劇烈,2017年達到峰值后,因供應過剩和需求疲軟持續(xù)下跌至2022年,2023年跌至多年低點,2024年的反彈是2017年以來最強勁的復蘇。DDR4 DRAM雖逐步退出主流產(chǎn)能,但供應短缺導致價格加速上漲,據(jù)權(quán)威媒體2025年12月報道,16GB DDR4內(nèi)存條價格較去年同期漲幅超200%。

圖:DRAM現(xiàn)貨平均價格--ifinD資訊、大同證券
DDR5合約價預期季度漲幅達30%-50%。消費電子、企業(yè)級SSD、汽車電子等領(lǐng)域?qū)Ω咝詢r比、穩(wěn)定供應產(chǎn)品需求強烈。國內(nèi)云計算廠商(如阿里云、騰訊云)在AI領(lǐng)域投入巨大,內(nèi)存年采購規(guī)模超千億元,同時為保障供應鏈穩(wěn)定持續(xù)加大國產(chǎn)芯片采購比例。這些現(xiàn)象表明,整個存儲產(chǎn)業(yè)的上行趨勢正在形成。
二是存儲芯片的角色升級。它從智能手機、PC等消費電子的“成本部件”,轉(zhuǎn)變?yōu)锳I數(shù)據(jù)中心和算力設施的“戰(zhàn)略核心模塊”,伴隨需求量和價值量的雙重提升。一臺AI服務器對DRAM和NAND的需求量,分別約為普通服務器的8倍和3倍。2025年10月,OpenAI的“星際之門”計劃每月鎖定90萬片DRAM晶圓供應,相當于全球產(chǎn)量的40%。同等規(guī)格的LPDDR5 DRAM,用于AI服務器的價格可達消費電子類產(chǎn)品的1.5倍。TrendForce預計,到2026年,AI與服務器應用將占據(jù)DRAM總產(chǎn)能的66%,帶動整體營收飆升56%。這種需求增長迫使產(chǎn)業(yè)鏈上游重新規(guī)劃資源分配。
2、供給側(cè)的戰(zhàn)略調(diào)整:國際巨頭的選擇
面對利潤豐厚的AI高端市場(如HBM、高頻DDR5),三星、美光、SK海力士三大巨頭做出了相似的戰(zhàn)略傾斜:一方面將先進制程產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM、DDR5等高端產(chǎn)品;另一方面收縮甚至停產(chǎn)DDR4、DDR3等前代產(chǎn)品線。

圖:證券時報相關(guān)報道
2025年4月,三星率先宣布逐步停止生產(chǎn)DDR4內(nèi)存顆粒,專注于DDR5、LPDDR5和HBM內(nèi)存;此后SK海力士逐步減少DDR4產(chǎn)能,計劃壓縮至20%左右;美光近期宣布退出旗下Crucial(英睿達)品牌的消費級業(yè)務。這些收縮戰(zhàn)略導致中端市場出現(xiàn)巨大供給缺口,消費電子、傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心、汽車電子等領(lǐng)域客戶面臨供應不確定性和成本壓力,供應安全焦慮加劇。
3、產(chǎn)業(yè)鏈模式的演變
在行業(yè)變局中,產(chǎn)業(yè)鏈組織模式也在調(diào)整。傳統(tǒng)IDM模式(如三星、美光)憑借對設計、制造、封測全鏈條的掌控,保障高端產(chǎn)品供應和利潤,但資本壁壘極高,后發(fā)者難以快速“超車”。中國廠商初期多以Fabless、Foundry等輕資產(chǎn)模式切入市場,隨著規(guī)模擴大和對自主可控的追求,部分企業(yè)逐步走向IDM模式。同時,江波龍等企業(yè)探索出TCM(技術(shù)合約制造)與PTM(產(chǎn)品技術(shù)制造)雙模式,在產(chǎn)業(yè)鏈特定環(huán)節(jié)增強深度和靈活性,快速響應本土化定制需求。
“超級周期”本質(zhì)上是全球存儲產(chǎn)業(yè)價值鏈的重構(gòu)。AI需求在產(chǎn)業(yè)鏈頂端創(chuàng)造高利潤“引力奇點”,吸引頂級產(chǎn)能,卻在下方留出巨大市場空間,這正是國產(chǎn)力量實現(xiàn)規(guī)模突破和生態(tài)構(gòu)建的關(guān)鍵戰(zhàn)場。
國產(chǎn)突圍:機遇與挑戰(zhàn)并存
在歷史性機遇面前,中國本土存儲產(chǎn)業(yè)已成為具備技術(shù)、產(chǎn)能和產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同能力的核心參與者,其崛起依托于“天時、地利、人和”的獨特優(yōu)勢。
天時是AI“超級周期”創(chuàng)造的時間窗口——國際巨頭讓出的中端供給缺口與價格空間,為國產(chǎn)芯片提供了客戶導入與產(chǎn)能爬坡期,這一窗口可能持續(xù)數(shù)年,是確立市場地位的黃金時期。
地利源于中國龐大的內(nèi)需市場:消費電子中端機型配置升級、云計算巨頭(如阿里云、騰訊云)為保障供應鏈安全的千億級本土采購、智能汽車(尤其是L3+自動駕駛)對存儲需求的十倍級增長,共同構(gòu)成國產(chǎn)芯片替代的堅實基礎。
人和體現(xiàn)在技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)生態(tài)初成——國產(chǎn)廠商在主流賽道的技術(shù)已實現(xiàn)“并跑”,從材料設備、芯片設計到模組封測的本土協(xié)同網(wǎng)絡加速形成。
然而,優(yōu)勢并非必然轉(zhuǎn)化為勝勢,國產(chǎn)廠商仍面臨諸多挑戰(zhàn)。首要挑戰(zhàn)是技術(shù)追趕的持久戰(zhàn),在HBM等前沿領(lǐng)域,國際巨頭已競逐至HBM4并采用更先進制程,本土廠商存在代際差距,需持續(xù)投入大量研發(fā)。更深層的考驗是規(guī)模與成本,存儲行業(yè)是規(guī)模經(jīng)濟,國際巨頭通過巨量研發(fā)投入占領(lǐng)技術(shù)高地,實現(xiàn)量產(chǎn)并占領(lǐng)市場,再憑借全球市占率攤薄成本,本土廠商在產(chǎn)能爬坡期將長期面臨成本競爭壓力。此外,生態(tài)與標準的全球博弈也是重要挑戰(zhàn),存儲芯片是高度標準化的全球性產(chǎn)品,融入全球供應鏈、獲得國際認證、參與下一代標準制定是復雜的系統(tǒng)性工程,地緣政治因素更增加了不確定性。
國產(chǎn)存儲的崛起是一場需要在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能擴張、市場開拓、生態(tài)建設和全球合規(guī)等多方面同步推進的“立體戰(zhàn)爭”。國內(nèi)存儲領(lǐng)域的公司及表現(xiàn)將在下篇分析。
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