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AMD與高通擬采用SOCAMM內(nèi)存,或加劇LPDDR市場供應(yīng)壓力

01-29 07:00

IT之家1月28日消息,據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》最新報道,繼英偉達積極推進SOCAMM內(nèi)存商業(yè)化后,AMD和高通也在研究為其AI服務(wù)器芯片引入該類型內(nèi)存模組。


和板載LPDDR DRAM Die方案相比,SOCAMM在維護便捷性方面有先天優(yōu)勢;而對比基于DDR的DIMM模組方案,SOCAMM在主板PCB上占用的面積更小,能效表現(xiàn)也更出色。


消息人士透露,AMD和高通考慮采用的SOCAMM在外形規(guī)格上和英偉達使用的版本有所不同:前者在模組PCB上設(shè)置兩列LPDDR Die,支持集成PMIC;而英偉達的版本只有一列DRAM Die,且沒有PMIC。


IT之家發(fā)現(xiàn),若有更多企業(yè)選用SOCAMM,將使得AI基礎(chǔ)設(shè)施行業(yè)對LPDDR內(nèi)存的需求進一步增加,從而對智能手機、筆記本電腦等同樣需要LPDDR的領(lǐng)域造成更大的供應(yīng)擠壓。


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